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| 规格书 |
 SFT1445 |
| 标准包装 | 500 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 17A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 111 mOhm @ 8.5A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 19nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 1030pF @ 20V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 供应商器件封装 | TP |
| 包装材料 | Bulk |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Bulk |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 17A (Ta) |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 供应商设备封装 | TP |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 111 mOhm @ 8.5A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 标准包装 | 500 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 1030pF @ 20V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 19nC @ 10V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 17 A |
| RDS（ON） | 85 mOhms |
| 功率耗散 | 1 W |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 系列 | SFT1445 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 通道数 | 1 Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 85 mOhms |
| 技术 | Si |
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